第六章 存储器层次结构

一、存储技术

1. 随机访问存储器

• 静态RAM(SRAM): 主要用在cpu芯片上，每个位存储在一个双稳态存储器单元里。
• 动态RAM(DRAM): 主要用来作为主存以及图形系统的帧缓冲区，每个位存储为对一个电容的充电。
• 传统的DRAM: DRAM被划分为d个超单元，每个超单元由w个DRAM单元(位)组成，共存储dw位信息，所有超单元被组织成r行c列，即rc=d。信息通过引脚流入和流出单元，每个引脚携带1个位的信元信息，如data组含8个引脚，可传入或传出一个字节，addr组含两个引脚，可携带2位的行和列超单元地址。
• 数据传送: DRAM芯片通过引脚连接内存控制器，由内存控制器控制读出或写入数据。内存控制器首先发出第i行地址，然后发出第j列地址来控制数据。每个DRAM芯片一般有个内部缓冲区，缓冲第i行信息。
• 内存模块：DRAM芯片被封装在内存模块中，内存控制器实际与内存模块交互，如发送一个(i,j)地址到内存模块，内存模块将地址广播到所有DRAM芯片，然后收集每个芯片返回的输出，并合成要返回给内存控制器的信息。
• 增强的DRAM：快页模式(FPM DRAM)，允许能复用内存缓冲区中的数据；扩展数据输出(EDO DRAM)；同步DRAM(SDRAM)；双倍数据速率同步DRAM(DDR SDRAM)；视频DRAM(VRAM)。