模拟集成电路分析与设计

一种3位sar adc仿真验证

2021-03-30  本文已影响0人  家琛的水笔

3位sar adc采用下图的电容阵列,电路如下图:所有电容的正端(也称为上极板)与比较器的同相端连接,比较器反相端接gnd,其工作过程进行大致分析见之前的文章《一种3位sar adc工作过程推导(二)》,下面对这个电路进行仿真验证。

3bit_adc原理图(二)

两个参考电压V_{refP}V_{refN}V_{-}=V_{vrefN},假设\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}<V_{in}<\frac{6}{8}(V_{refP}-V_{refN})



仿真过程(一):

绘制仿真原理图,设置好参数:Vin=800 mV,VrefP=1.2V,VrefN=0 V,\frac{5}{8}\cdot(1.2-0)+0<V_{in}<\frac{6}{8}\cdot(1.2-0)+0,采用理想开关switch。

image

下图为仿真波形图,经过4个步骤,输入电压Vin分别与\frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN},\frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN},\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}进行比较,所以Vplus分别为V_{in}-[\frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN}],V_{in}-[\frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}],V_{in}-[\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}].

3bit_adc仿真波形图

仿真过程(二):

设置参数:Vin=950 mV,VrefP=1.2V,VrefN=0 .4V,\frac{5}{8}\cdot(1.2-0.4)+0.4<V_{in}<\frac{6}{8}\cdot(1.2-0.4)+0.4,采用理想开关switch。

下图为仿真波形图,经过4个步骤,输入电压Vin分别与\frac{V_{refP}-V_{refN}}{2}+V_{refN},\frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN},\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN})+V_{refN}进行比较,所以Vplus分别为V_{in}-\frac{V_{refP}-V_{refN}}{2},V_{in}-\frac{3}{4}(V_{refP}-V_{refN}),V_{in}-\frac{5}{8}(V_{refP}-V_{refN}).

3bit_adc仿真波形图2

小结

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