2019-04-09

一文了解MR25H10CDF

介绍

      MR25H10CDF是1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，组织为131,072字的8位。 MR25H10CDF提供串行V EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，无写延迟和无限的读/写耐久性。

      与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。 MR25H10CDF是必须使用少量I / O引脚快速存储和检索数据和程序的应用的理想存储器解决方案。

      MR25H10CDF采用5 mm×6 mm 8引脚DFN封装或5mm x 6 mm 8引脚DFN小型封装。两者都兼容串行EEPROM，闪存和FeRAM产品。

      MR25H10CDF可在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40°至+ 85℃）和AEC-Q100 1级（-40℃至+ 125℃）工作温度范围选项。

特征

·没有写入延迟

·无限写耐力

·数据保留期超过20年

·断电时自动数据保护

·块写保护

·快速，简单的SPl接口，时钟速率高达40 MHz

·2.7至3.6伏电源范围

·低电流睡眠模式

·工业温度

·提供8引脚DFN或8引脚DFN小标志RoHS兼容封装

·直接替代串行EEPROM，闪存，FeRAM

·AEC-Q100 Grade 1Option