计算——IGBT死区时间

什么是IGBT死区时间？

上图的两路波形分别是上下桥臂的PWM，示波器的光标（垂直虚线）卡的就是IGBT的死区时间。此时间上下桥同时处于关闭状态。

设定死区时间的作用？

为了使IGBT工作可靠，避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通，也就是上下桥臂同时关断时间。死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个桥臂未完全关断，而另一桥臂又 处于导通状态，避免直通炸模块。

死区时间大，模块工作更加可靠，但会带来输出波形的失真及降低输出效率。死区时间小，输出波形要好一些，只是会降低可靠性，一般为us级。一般来说死区时间是不可以改变的，只取决于功率元件制作工艺。

死区时间的计算？

TD:死区时间；

Toff: IGBT关断延迟时间（Turn-off delay time）；Ton: IGBT开通延迟时间（Turn-on delay time）；

Tf:上升时间；Tr:下降时间；

TPHL :驱动芯片关断延迟时间；TPLH :驱动芯片开通延迟时间

                     FS820R08A6P2B 参数                                            1ED020I12FA2 参数

TD=[(1.05+0.05)-(0.27+0.07)+(0.225-0.160)]×1.5 = 1.24 us

(备注：计算值只能作为参考，具体设定需看测试结果)