2019考研考研考研经验

北京交通大学电子科学与技术专业考研详情

2018-09-11  本文已影响1人  THU水木考研

一、招生信息

招生院系: 电子信息工程学院

招生专业: 080900 电子科学与技术

招生人数: 全日制拟招生人数(推免生):40(21)

复试分数线:320分

二、研究方向及考试科目

研究方向:01 电磁场与微波技术

考试科目

① 101思想政治理论

② 201英语一

③ 301数学一

④ 911电磁场与电磁波

复试科目

01109信号与系统(一)或01104大学物理(二选一)

研究方向:02 信号处理与电子系统

考试科目

① 101思想政治理论

② 201英语一

③ 301数学一

④ 910电子技术(模拟、数字)

复试科目

01109信号与系统(一)

研究方向:03 微电子与固体电子学

考试科目

① 101思想政治理论

② 201英语一

③ 301数学一

④ 893集成电路设计基础(一)

复试科目

01107电子技术(模拟、数字)

三、专业课参考书目

911电磁场与电磁波:《电磁场与电磁波》 北京交通大学出版社 2014年1月,邵小桃,李一玫,王国栋编著;钟顺时的《电磁场基础》;谢处方的《电磁场与电磁波》;

910电子技术(模拟、数字):侯建军主编的《数字电子技术基础》,高等教育出版社,第2版;李金平,路勇主编的《模拟集成电路基础》,清华大学出版社。

893集成电路设计基础(一):CMOS Analog Circuit Design, Second Edition电子工业出版社Phillip E. Allen, Douglas R. Holberg;

专业课考试大纲

893集成电路设计基础(一)

模拟集成电路设计概论

集成电路发展简介

模拟集成电路设计基本概念

模拟集成电路设计流程

MOS器件物理基础与建模

半导体材料与器件基础

CMOS工艺与技术基础

MOSFET开关与结构

MOS器件I/V特性

MOS器件二级效应

MOS器件版图与电容

MOS器件小信号模型与SPICE模型

NMOS与PMOS器件的比较

长沟道器件与短沟道器件的比较

单级放大器

单级放大器基本概念

共源级放大器

源跟随器

共栅级放大器

共源共栅级放大器

器件模型的选择

差动放大器

单端与差动的工作方式

基本差动对分析

共模响应

MOS为负载的差动对

吉尔伯特单元

无源与有源电流镜

基本电流镜

共源共栅电流镜

有源电流镜分析

运算放大器设计与分析

运算放大器基本概念与应用

一级运算放大器

二级运算放大器

增益的提高

运算放大器性能比较

共模反馈

输入范围限制

转换速率

电源抑制

911电磁场与电磁波

矢量计算

矢量与矢量场的不变特性

亥姆霍兹定理

散度、旋度和梯度的物理意义

散度定理

斯托克斯定理

静电场

电荷密度的概念与模型

库仑定理和电场强度

电位概念及计算

电介质的极化

基本方程

边界条件

格林定理和唯一性定理

分离变量法(重点为直角坐标中的二维分离变量法)

镜像法的计算(重点为直角坐标和球坐标的镜像法)

分布电容概念

静电场的能量和能量密度的概念。

恒定电场

电流密度的概念与模型

电流密度与电荷密度的关系

电流密度和电场强度的关系

电流密度与功率密度的关系

基本方程

边界条件

静电比拟法的计算(重点是电导和接地电阻的计算)

恒定磁场

安培定律

比奥-沙伐定律

磁介质的磁化

标量磁位的概念

基本方程

边界条件

自感(包括内自感和外自感)

互感

磁场能量和能量密度的概念。

时变电磁场

法拉第定理

位移电流

麦克斯韦方程组

边界条件

似稳电磁场

复数形式表示和计算正弦电磁场

等效复电容率和复磁导率

坡印廷定理和坡印廷矢量

波动方程

平面电磁波

均匀平面波和横电磁(TEM)波的概念

均匀平面波时域或复数形式表达式的各项参数的概念和计算

均匀平面波在理想介质中的传播特性

均匀平面波在导电媒质中的传播特性

色散媒质的概念

均匀平面波在两种不同媒质分界面上垂直入射特性

均匀平面波在两种不同媒质分界面上斜入射特性(重点为全反射和全折射,包括均匀平面波在理想导体表面的斜入射特性和计算)

导行电磁波

导行波的基本概念

矩形波导中横电(TE)波和横磁(TM)波的传播特性

TE10模的特性

波导参数的计算

谐振腔原理

910电子技术(模拟、数字)

模拟电子技术:

半导体器件基础

双极型晶体管和场效应管特性和参数。

双极型三极管基本放大电路静态、动态的定性、定量分析与设计。

场效应管基本放大电路静态、动态分析。

输入差分放大电路

(1) 电流源电路的工作原理。

(2) 差分放大电路的组成和工作原理。

(3) 差放的静态和动态参数的分析方法。

输出功率放大电路

(1) 功率放大电路的基本概念。

(2) 功率放大电路最大输出功率和转换效率的分析方法。

(3) 功率放大电路应用中的相关问题。

放大电路的频率响应

(1) 频率响应的分析方法。

(2) 放大器的频响分析。

(3) 放大器展宽频带的方法。

放大电路的反馈特性

(1) 反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,深度负反馈条件下放大电路的分析方法。

(2) 负反馈对放大电路性能的影响。

(3) 根据需要在放大电路中引入反馈的方法。

(4) 负反馈放大电路产生自激振荡的原因。

(5)负反馈放大电路稳定性。

运算放大器及其应用

(1) 理想集成运算放大器模型和特性。

(2) 模拟运算电路的分析方法。

(3) 理想集成运算放大器的其他应用。

直流稳压电源

(1) 单相整流电路的工作原理和分析、设计方法。

(2) 集成稳压器的应用。

数字电子技术:

1. 数字逻辑基础

(1) 数字逻辑基础概述。

(2) 数制与编码。

(3) 逻辑函数的表示方法。

2. 逻辑门电路

(1) TTL、MOS与、或、非电路原理与应用、集成注入逻辑电路I2L原理。

(2) 三态门、OC门原理。

(3) 集成电路的工作过程与外部特性、三态总线传输数据系统的应用。

3. 组合逻辑电路

(1) 组合逻辑电路的分析及其应用。

(2) 组合逻辑电路竞争与冒险的机理、冒险现象的识别、冒险现象的消除方法。

4. 时序逻辑电路

(1) 时序电路的特点及其结构,同步时序电路的分析与设计。

(2) 边沿JK触发器结构及工作原理。主从JK触发器对激励信号的要求。

5. 常用时序集成电路及其应用

(1) 中规模同步、异步计数器的工作原理与应用、中规模集成寄存与移位寄存器的工作原理与应用。

(2) 反馈移位型序列信号发生器,最长线性移位寄存器序列信号发生器。

(3) 计数器型序列信号发生器原理与特点。

6可编程逻辑器件

(1) 可编程逻辑器件的基本概念与基本单元。

(2) 可编程逻辑器件的工作原理与特点,高密度可编程逻辑器件HDPLD和现场可编程门阵列FPGA工作原理 。

(3) 随机访问存储器RAM原理及其应用。

7. A/D转换器与D/A转换器

(1) DAC与ADC基本原理,R-2R网络型D/A转换器,集成DAC0832及其应用。

(2) 并行、串行比较型ADC。逐次比较型、双积分型A/D转换器。

8. 脉冲的产生和整形

(1) 单稳态触发器工作原理与应用。集成单稳态触发器。

(2) 晶体振荡器。集成555定时器及其应用。

(3) 施密特触发器的基本工作原理。

四、考研经验

对于报考北京交通大学电子科学与技术专业的考生来说,真题对于考研专业课的复习是非常重要的,因为北京交通大学官只给了参考书目,并没有考研大纲,所以真题是北京交通大学考研学子最重要的资料,真题除了能告诉我们哪些知识点最重要,考哪些题型之外还能给我们反映出题难度如何,考点及重点范围有哪些,每个知识点的出题频率,每个章节的分值比重,各个章节的出题比重,每年都要反复考的知识点等等。

北京交通大学911电磁场与电磁波的专业课实在是太难,资料又少,做真题做个5到6遍,除了李一玫的书外,多看几本其他的书,钟顺时的《电磁场基础》,谢处方的《电磁场与电磁波》,这两本书都比较好。考这个专业真是累,专业课太难!

首先基础要打牢,知识点、各种变换的公式要记牢(公式记不住,做题做个PP);其次是做题做题再做题,盲目的题海战术也是无用功,错题要及时记录,及时复习,记忆的知识点就要考自己记忆了,每个人都有自己的记忆方法,我就不赘述了,信号与系统与高数有想通的地方,状态方程的解法比高数微分方程简单多,(所以我特别想用信号与系统的方法解微分方程,解微分方程的公式也忒难记了啊啊啊!!!)

最后就是真题,真题是很宝贵的资料,大家不要像做一样刷刷刷的做啊,一定要规定好一个时间,最好是安排在下午,跟考研同步,在规定的时间内做完,第一次刷真题肯定会有好多题不会,别担心,大家都这样,多做几遍就好。

因为考不同的学校不同的专业,专业课的复习也不一样,大家可以联系一下报考专业的学姐学长了解下,在网上搜下历年考题,制定好计划认真复习,虽然每个人的情况不同,但是专业也不能松懈,因为专业绝对是拉分项目,我这里分享一下我复习过程中复习的重点。具体范围如下:

1.模拟集成电路设计、制造过程的基本概念(包括掩膜的技术功能、掩膜在制造过程中的应用、简单版图识别)。(参考书第1、2章)。

2.基本MOS器件的模型及其分析方法(包括MOS管基本模型、直流特性、频率特性)。(参考书第3章)。

3.CMOS基本模拟单元电路分析(参考书第4章)

4.CMOS放大器基本结构和特性参数分析(参考书第5章)。

5.二级运算放大器分析与设计基础(参考书第6章)

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