PN8275原边反馈ac/dc控制芯片

PN8275准谐振直流转换芯片是一款符合6级能效标准的次级反馈，内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入欠/过压保护、X电容放电功能、输出过压保护、外部OTP保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能，骊微电子代理的PN8275专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。 

1.启动：在启动阶段，内部高压启动管提供1.5mA电流对外部VDD电容进行充电。当VDD电压达到VDDon，芯片开始工作；高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后，变压器辅助绕组对VDD电容提供能量。

2.软启动：启动阶段，CS脚内部的最大峰值电流电压限制逐步的提高；这样可以大大减小器件的应力，防止变压器饱和。软启动时间典型值为8.0ms。

3.振荡器：PN8275在PWM 模式振荡频率固定， 当IDMG>330uA时，系统处于高输入电压段，此时工作频率为65kHz，当IDMG<330uA时，系统处于低输入电压段，此时工作频率为85kHz。PN8275通过提高低输入压时的工作频率，可降低对变压器的要求。

4.降频工作模式：PN8275提供降频工作模式，通过检测FB脚电压，在轻载和空载条件下降低开关频率以提高轻载效率。当FB脚电压小于VFB_PFM，芯片进入降频工作模式，开关频率随负载降低而降低，直至最小频率Fosc_BM。

5.谷底开通：PN8275根据开关管波形计算励磁电感与寄生电容振荡周期，在DCM模式下实现精确谷底开通，提高转换效率。

6.间歇工作模式：极轻载时，PN8275进入间隙工作模式以减小待机功耗。当负载减轻，反馈电压减小；当FB 脚电压小于VFB_BM_L（典型1.15V），芯片进入间歇工作模式，功率管关断。当FB 脚超过VFB_BM_H 时，开关管再次导通。

7.输入欠压保护：骊微电子代理PN8275内部集成了输入电压检测模块实现Brown-Out功能。当HV电压小于V_BNO，输出GATE处于关闭态，VDD电压在VDDon和VDDoff间来回重启；直至VDD启动后，检测到HV电压大于V_BNI且VDD>V_BI，GATE开启驱动信号输出。

8.输入过压保护：PN8275P内部集成了输入电压检测模块实现AC Line OVP功能。当HV电压大于V_OVP，输出GATE处于关闭态；当输入交流电压减小，PN8275P检测到HV电压小于V_OVP-V_OVP_hys，GATE开启驱动信号输出。

9.输出驱动：PN8275采用优化的图腾柱结构驱动技术，通过合理的输出驱动能力以及死区时间，得到较好的EMI特性和较低损耗。

10.过载保护：负载电流超过预设定值时，系统会进入过载保护。在异常情况下，当VFB电压超过Vth_OLP，经过Td_OLP的延迟时间，PN8275认为系统处于过载模式，PWM开关停止，VDD进入反复重启。

11. X电容放电：PN8275同时提供了输入下电检测功能，当输入断电，PN8275会提供HV脚到GND的下拉电流，使X电容的电荷泄放到地， 此功能已经通过IEC62368-1:2014认证。

12.斜坡补偿：PN8275采用峰值电流控制，内置斜坡补偿功能，通过将电压锯齿信号叠加在采样电流信号上，以改善系统闭环稳定性。

13.线电压补偿：PN8275通过DMG引脚上偏电阻检测输入电压，从而产生线补偿电流ILC 到CS引脚，其中ILC=K*IDMG，K=0.375为采样DMG引脚电流的比例系数。线补偿电流ILC通过偏置连接在CS引脚与CS检测电阻Rcs间的电阻产生补偿电压，补偿量的大小由电阻阻值3决定。

14.过温保护：骊微电子代理PN8275同时提供片上和片外的过温保护。当芯片温度超过145℃，芯片进入过温保护状态。同时PN8275可以通过外部NTC电阻检测系统板的热点是否超过设定值，当检测到CS电压大于V_CSOTP持续Td_CSOTP则触发保护。