一种3位sar adc工作过程推导(二)
3位sar adc采用下图的电容阵列,需要23个电容,它的基本单元有二进制加权的电容阵列、1个与LSB电容等值的电容;它利用电容上的初始电荷再分配完成二进制搜索算法,因此功耗一般比较小,而且不需要额外的采样保持电路1。
上一篇文章《一种4位sar adc工作过程推导(二)》讨论了两个参考电压VrefP和VrefN取值的一般情况,可以通过改变电路的结构和开关时序逻辑来满足参考电压VrefP和VrefN取值的一般情况。
下面针对前文《一种3位sar adc工作过程推导》提出的3位sar adc的电路结构进行稍微修改,修改后的电路如下图:所有电容的正端(也称为上极板)与比较器的同相端连接,比较器反相端接VrefN,下面对其工作过程进行大致分析
3bit_adc原理图(二)两个参考电压和,,假设
分析过程:
step 0:采样阶段
3bit_adc采样阶段(二)开关闭合,比较器同相端都接Vin;同时让电容负端都接参考电压VrefP
电容上存储的电荷量
比较器同相端电压
step 1:电荷再分配阶段(电压比较阶段)
3bit_adc_step1(二)首先将开关断开,电容4C的负端接VrefN,其余电容保持接VrefP不变
根据电容上的电荷量相等,可得
则
第1次:与两者进行比较,则比较器输出为高电平,即最高位D2=1
step 2:电荷再分配阶段(电压比较阶段)
3bit_adc_step2(二)因为最高位D2=1,所以电容2C的负端接VrefN;电容4C的负端保持接VrefN
根据电容上的电荷量相等,可得
则
第2次:与两者进行比较,则比较器输出为低电平,即次高位D1=0
step 3:电荷再分配阶段(电压比较阶段)
3bit_adc_step3(二)因为最高位D2=1且次高位D1=0,所以电容C的负端接VrefN;电容2C的负端接VrefP,电容4C的负端保持接VrefN
根据电容上的电荷量相等,可得
则
第3次:与两者进行比较,则比较器输出为高电平,即最低位D0=1
所以3位sar adc输出数字码为D2D1D0=101
小结
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输入电压Vin首先与进行比较,然后根据比较器输出结果(0或1)来选择下一个参考电压进行比较,当输出为1,则与进行比较;若输出为0,则与进行比较,。依次类推,比较器输出结果就可以等效地控制参考电压的改变。
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当采样阶段结束后,断开开关,进入电荷再分配阶段,各个电容的负端(下极板)所接的电压值与比较器同相端电压的关系如下表,从表中可以看出大致规律。
C | C | 2C | 4C | |
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- 所以初步得出结论:这个sar adc电路可以满足参考电压VrefP和VrefN取值的一般情况。
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参考文献
- [1] 逐次逼近型ADC