绝缘栅增强型NMOS管的特性

1.增强型：UGS=0时，管内无沟道建立，加上UDS后，也无漏极电流ID。

2.N沟道：D和S极为N型半导体，衬底为P型半导体。

3.工作原理：

（1）UGS=0

管内无沟道建立，DS之间等价于2个背对背的二极管串联。

（2）UGS》0，UDS=0

DS之间建立反型层，即N沟道（电子）；

建成反型层时电压为UGSth（门电压）。

（3）UGS》UGSth，UDS》0

UDS固定情况下（小于击穿电压）：

UGS越大，反型层越厚，等价电阻越小，电流ID越大。

UGS固定情况下：

UDS由0增大，ID线性增大，可变电阻区（UDS增大，沟道变楔形但尚未夹断）；

UDS继续增大，ID几乎不变，饱和区（沟道出现预夹断，并随UDS增大而逐渐消失）

进入饱和区条件：UDS》UGS-UGSth或UGD《UGSth

UDS继续增大，反型层消失，同时D端PN结被反向击穿，ID迅速上升，NMOS损坏。

上述工作原理是对输出特性曲线和转移特性曲线解释。

ID为被控量，为输出。

4.UDS增大，为什么N沟道呈楔形？

UGS固定，UDS》0时，从S极往右，N沟道上的电位逐渐升高，栅极形成的电场强度减小，反型层逐渐变窄呈楔形；当UGD《UGSth时，反型层消失，出现预夹断。