随机访问存储器原理

本文结构为

1:静态随机访问存储器

2:动态随机访问存储器

静态RAM（static RAM）

SRAM中的数据保存在一对正负反馈门电路中，所以可以一直包括数据

SRAM将每个存储位存储在一个双稳态的存储单元里。在如图所示，从中间的不稳定状态开始，电路会迅速转移到两个稳定状态中的一个，两种稳定状态能无限保持时间。

正是由于这种特性，只要有电，它就会永久保持它的值，即使干扰（例如电子噪音）来干扰电压，干扰消除后，电路就会恢复稳定值 

SRAM存取速度很快，价格贵，一般用来高速缓存（cache）

动态RAM

DRAM利用的是电容存储，抗干扰能力不强，例如暴露在光线下，会让电容电压改变。每次读出数据，电容的电荷会跑掉，所以每次读完都要充电。（破坏性读出）同时很多原因导致漏电，一般10-100毫秒电容就会失去电荷，但是计算机时钟一般以纳秒衡量，所以相比较而言，还是保持时间挺长的。内存系统要周期地通过读出，然后重新写入刷新每一位。

这种内存主要用于主存和帧缓冲区。