Lecture 72019-01-17 本文已影响0人 来自吐槽星 3.3 DRAM 存储器 3.3.1 DRAM存储元的记忆原理 3.3.2 DRAM芯片的逻辑原理 3.3.3 读/写周期、刷新周期 刷新操作分为: 集中式刷新 分散式刷新 3.3.4 存储器容量的扩充 字长位数扩展 地址线和控制线公用 数据线单独分开连接 字存储容量扩展 地址总线、数据总线公用 控制总线中公用,使能端EN不公用, 字、位同时扩展法 例:P101.3 3.4 只读存储器和闪速存储器 3.4.1 只读存储器ROM 3.4.2 闪速存储器FLASH