SPP20N60C3 规格书
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FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）190 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）114nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2400pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）208W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO220-3-1
封装/外壳TO-220-3
