2019-08-02

关于FDS6375

一般说明

      这款P沟道2.5V规格的MOSFET采用飞兆半导体先进的先进PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

      这些器件非常适用于需要低线内功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

特征

·30A，20V.R DSOnj0024：@ VgS-45V BDS（0nj 0.038 @ VgS-25V。

·低栅极电荷（典型值23nC）。

·FDS6375切换速度快。

·高性能沟槽技术，适用于极低的BS（ON）。

·高功率和强大的处理能力。

应用

·DC / DC转换器

·负载开关

·电池保护