暗硅效应

暗硅效应指的是在集成电路中产生的一种电子器件失效现象。

当晶体管或其他电子器件被制造时，由于生产过程中不可避免的微小缺陷或材料不均匀性，会导致其中一些点比周围的点更容易通过电流或热量进行漂移。

这些点通常被称为“热点”，它们吸收了大量电流或热量，导致该区域的温度升高，从而引发局部故障或器件失效的风险。

这种现象通常在高功率、高密度、高速电路中尤其突出，并且可能会导致电路的长期可靠性下降。

因此，减少暗硅效应对电路设计和制造至关重要。