PVT对于芯片性能的影响

P：Process

V：Voltage

T：Temperature

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1.工艺角-process corner

不同的晶片和不同的批次之间，因为掺杂、刻蚀、温度等外界因素导致MOSFETs参数的变化范围比较大。为减轻设计困难度，需要将器件性能限制在某个范围内，并报废超出这个范围的芯片，来严格控制预期的参数变化。工艺角即为这个性能范围。

1.2 5-Corner model

TT：nmos -Typical corner & pmos -Typical corner

FF：nmos -Fast corner & pmos -Fast corner

SS：nmos -slow corner & pmos -slowl corner

FS：nmos -Fast corner & pmos -slow corner

SF：nmos -slowl corner & pmos -fast corner

注：Typical是指晶体管驱动电流（Ids）是一个平均值；

Fast是指晶体管驱动电流是最大值；

Slow是指晶体管驱动电流是最小值。

2. PVT

除了工艺角外，还有电压、温度和最好/坏的情况等条件才组合成PVT(Process、Voltage、Temperature)条件。

电压：1V+10% ,1V ,1V-10%

温度：-40C , 0C, +25C, 125C

时序分析中：

最好的条件（Best Case）——速度最快的情况；

最坏的条件（Worst Case）——速度最慢的情况；

2.1 PVT组合

会依据仿真需求，使用不同的PVT组合，

——以用于STA分析。

WCS(Worst Case Slow):slow process,high temperature,lowest voltage

TYP(Typical):typical process,nominal temperature,nominal voltage

BCF(Best Case Fastl):fastl process,lowest temperature,high voltage

WCL(Worst Case @coldl):slowl process,lowest temperature,lowestl voltage

——以用于功耗分析

ML(Maximal Leakage):fast process,high temperature,high voltage

TL(Typical Leakage):typical process,high temperature,nominal voltage

——另一组合条件：Scenarios

Scenarios=Interconnect + operation mode + PVT

1.内连线情况：Interconnect corner

即制造对互连线的影响；R_typical C_typical；R_maxl C_max；R_minl C_min；R_maxl C_min；

2.工作模式：function mode ，scan mode, sleep mode, standby mode, active mode

对多种Scenarios的综合分析，称之为MMMC(Multi-Mode Multi-Corner)分析。

OCV (On-chip Variation)

OCV可用来描述PVT在单个芯片所造成的影响。

温度反转效应

原文链接：https://blog.csdn.net/u011729865/article/details/70244709