STM32硬件基础--QaudSPI总线读写片外FLASH（三）
2019-11-07 本文已影响0人
海东青电子
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N25Q是NOR FLASH，每次写入数据之前，需要先进行擦除。而且，在发送写数据指令之前，需要先“使能写”（见上一篇：STM32硬件基础--QaudSPI总线读写片外FLASH（二））。执行写之后，还需要查询FLASH的状态寄存器，看看是否写入完毕。
完整的示例代码的下载地址：https://github.com/haidongqing/qspi-writeflash。
第一步是擦除：
图一
擦除之前，也需要先使能写。发出擦除指令后，要查询此指令是否完成，函数 QSPI_AutoPollingMemReady() 查询FLASH是否进入就绪状态：
图二
.Match、.Mask 的值为什么是0x00和0x01呢？来看看N25Q的数据手册中关于状态寄存器的说明：
图三
需要查询寄存器的bit0是否为0，所以屏蔽字是0x01，目标值是0x00。
第二步：写入。
图四
待写入的数据（字节类型）保存在 aTxBuffer 中，长度为 BUFFERSIZE，赋值给了 .NbDate 。执行写入后，调用函数 QSPI_AutoPollingMemReady() 查询FLASH是否写入完毕。
以上只是最简单的写FLASH示例，实际使用时，最重要的是要处理跨扇区写的问题，即 当BUFFERSIZE大于FLASH的扇区size时，写第二个扇区时，要重新设置 sCommand.Address（递增；之后的其他扇区照此类推），可参考ST官方的例程 -- “QSPI_ReadWrite_IT” ：
图五
（完）
