4803mos管PDF资料双P沟道高级功率MOSFET

骊微电子4803mos管采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS（ON），具有低R DS（on）@V GS = -5V，5V逻辑电平控制，双P沟道SOP8封装，超过最大额定值的应力可能会损坏设备，最大额定值仅为压力等级，长期暴露于高于推荐操作条件的应力可能影响设备可靠性。

骊微电子4803mos管该设备适合用作负载开关或PWM应用，针对电源管理进行了优化便携式产品的应用，例如H桥，变频器车载充电器及其他。

4803mos管产品特征：

•低R DS（on）@V GS = -5V

•5V逻辑电平控制

•双P沟道SOP8封装

4803MOSFET管绝对最大额定值：

超过最大额定值的应力可能会损坏设备。最大额定值仅为压力等级。功能操作如上不暗示推荐的操作条件。长期暴露于高于推荐操作条件的应力可能影响设备可靠性。