在联发科的压力下，高通终于要舍弃28nm工艺了

高通的新款中高端芯片骁龙660据说将引入14nm工艺了，预计将是三星的14nmFinFET工艺，这无疑是它在受到联发科等的竞争下不得不采取的应对策略。

高通以其骁龙8XX系列占据高端市场，2015年由于自主架构研发跟不上，其采用了ARM的高性能公版核心A57开发高端芯片骁龙810，不过由于A57的功耗较大和台积电的20nm能效不佳导致骁龙810出现发热问题，2015年底其新开发的骁龙820回归自主架构kryo。

高通并没有放弃引入ARM的高性能公版核心，随后采用ARM的高性能公版核心A72推出骁龙650和骁龙652，由于成本以及竞争考量这两款芯片并没有与骁龙820采用当时最先进的14/16nmFinFET工艺，而是采用了台积电的28nm工艺，由于高通的品牌影响力以及其基带和GPU性能的优势，依然获得了中国手机企业和三星的欢迎。

去年高通采用ARM的高性能公版核心A73推出新款中高端芯片骁龙653，虽然性能不错，不过可惜的是它依然采用相对落后的台积电28nm工艺，而让人奇怪的是其定位要低一个档次的骁龙625反而采用更先进的三星14nmFinFET工艺。

骁龙653为四核A73+四核A53架构，而骁龙625为八核A53架构，虽然A73核心在ARM的设计中已很好的平衡了性能和功耗，但是由于其功耗设计还是较A53为高，再加上更优秀的工艺，骁龙625以出色的功耗表现获得中国手机企业的欢迎，毕竟对于手机企业来说续航显然是更受它们重视的因素。

相比之下，竞争对手联发科今年推出的芯片开始普遍引入10nm工艺，希望凭借工艺的优势来与高通打差异化竞争，预计采用该工艺的新款芯片helio X30和P35在今年二季度、三季度大规模上市，在这样的情况下高通再用落后的28nm工艺的中高端芯片骁龙653与联发科竞争并不现实，引入先进工艺就成为必然。

正是在这样的情况下，高通的新款芯片骁龙660应运而生，据说骁龙660与骁龙653一样都是四核A73+四核A53架构，不过工艺是三星的14nmFinFET工艺，虽然在工艺方面没法与helio X30所采用的10nm工艺相比，不过在GPU和基带方面则与X30相当，而高端则用骁龙835压制，凭借高通的品牌影响力骁龙660还是有竞争力的。

当然高通的这种策略也被网友吐糟，有点挤牙膏战术的意思，在竞争对手的压力下一点点提升性能，不过这也难怪，其也担心骁龙660的性能太高的话会影响其高端芯片骁龙835的出货。