中国研发的新型存储芯片：性能与传统二维芯片相比快了100万倍

三星电子是韩国最大的电子工业企业，在全球的影响力已经超越了许多业内传统巨头，是韩国名族工业的象征。作为韩国的主流品牌，三星电子在存储芯片的技术研究上一直处于世界领先水平，与三星、sk海力士相比我国在DRAM内存、NAND闪存技术上要落后多年，这项技术一直被领先的韩国企业所垄断，然而，近年来，我国的半导体研究技术突飞猛进，韩国媒体在《韩国经济新闻》上面报道称：在中国政府的政策和资金的支持下，中国存储芯片企业用不了三年的时间，将会与发展了20多年台湾的电子芯片技术不相上下。

前不久报道称：中国政府将会投资130亿元开建PCM相变内存，性能是普通存储芯片的1000倍，随后，又有猛料爆出：复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，他们使用了半导体结构，研发的存储芯片性能优秀，是传统二维存储芯片的100万倍，而且性能更长，刷新时间是内存的156倍，也就是说具备更强的耐用性。根据他们发表在《自然·纳米技术》杂志上的论文来看，他们研发的存储芯片使用的不是传统芯片的场效应管原理，因为后者在物理尺寸逐渐缩小的情况下会遇到量子效应干扰，所以张卫、周鹏团队使用的是半浮栅极（semi-floating gate）晶体管技术，他们据此展示一种具有范德·瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构，这种新型的存储芯片具备优异的性能及耐用性。

闪存是一种非易失性存储器，优点是在断电的情况下也不会丢失存储数据，与闪存相比内存具有大容量存储的优势，运行速度极快，但是两者也存在一些劣势，闪存的延迟比内存高一个量级，内存断电就会丢失存储数据，而且研发成本较昂贵，所以业界一直在寻找能够兼顾内存和闪存两者优势的新型存储芯片，在保存数据的同时有高速的运行速度。我国就在致力于这种新型芯片的研究，目前的进展情况还是不错的，但是，未来两三年内是无法进入市场，实现量产的，同时兼顾DRAM、NAND优点的新型存储芯片都存在这个问题，而且，传统闪存、内存芯片的使用寿命也较长，在上市之前这些问题都有待解决。