2019-08-13

AO3401二三事

一般说明

      AO3401采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的工作电压。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO3401不含铅（符合ROHS和Sony 259规格）.A0340iL是绿色产品订购选项。 AO340land A03401L电气相同。

特征

VDS（V）=  -  30V ID = -42A（VGS = -10V）

RDS（ON）<50平方米（VGS = -10V）

RDS（ON）<65平方米（VGS = -4.5V）

RDS（ON）<120平方米（VGS = -2.5V）

·AO3401采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。

·该器件适合用作负载开关或PWM应用。

基本参数

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：30V

Id时的Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V

在Vds时的输入电容(Ciss)：1.4W

安装类型：表面贴装