IRF630N参数

　　该器件为n通道、增强模式、功率MOSFET，专为大功率、高速应用而设计，如开关电源、UPS、交流和直流电机控制、继电器和电磁驱动器以及高能脉冲电路等。

　　描述：

　　漏电流-ID =9.3A@ TC=25℃

　　漏源电压-:vds公司= 200 v(分钟)

　　静态漏源极导通电阻:RDS() = 0.3Ω(Max)

　　切换速度快

　　低驱动要求

　　IRF630N参数：

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.3A

　　漏源电压（Vdss）：200V：

　　栅源极阈值电压（最大值）：4V @ 250uA

　　漏源导通电阻（最大值）：300 mΩ @ 5.4A，10V

　　类型：N 沟道

　　功率耗散（最大值）：82W

　　绝对最大额定参数(Ta = 25℃)：