再砸154亿美元！三星96层3D NAND下血本，长江存储还有希

据Chosun Ilbo报道，韩国产业链的消息人士透露，三星今年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元，2019年更是会提高到90亿美元。

这些投入首先是用于提高3D闪存的产能，包括位于平泽市和中国西安市的工厂，其次是先进技术。本周，三星宣布量产第五代3D V-NAND闪存，采用96层堆叠、单Die 32GB容量，领先竞争对手两年的时间。

更为值得一提的是，根据IC Insights分析，从三星未来的资本支出方向来看，三星将会进一步释放产能，而未来几年，SK海力士、美光、Intel、东芝、西数/闪迪等都表态将扩NAND Flash存产能，由此可能会出现供应过剩的风险。而这对于以长江存储为代表的即将量产的国产存储厂商来说，可能不是一个好消息。三星等龙头大厂，未来可能将会通过价格战来阻挠国产存储厂商的发展。

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网友评论：

@下岗官二代：如果钱投入的越多，技术差距就能赶上，那中国真不差钱，关键是有些人打着研发的幌子套取国家配套资金，自己腰包鼓了，还洗钱，把钱偷偷弄到国外去。

@风过无痕雨过无声：过剩就对了，只有产量过剩才能赢，产量过剩才能降价，中国是半导体消费国，降价是好事，对韩国来说就是坏事，降价就挣不到钱，挣得少了，投入就少了，技术就不能拉开太大差距，一旦技术上逼近三星，产量能跟上，呵呵，直接打个官司，什么侵犯专利啥的，不得在中国销售，一次干死。

@全都是泡沫：中国这么大市场，只要肯砸钱，技术落后点能用就行，又不是全部是高端市场，一步步，迟早会发展起来的！

@对事不对人：道路是曲折的， 前途是光明的。三星也是赔了十多年才追上日美。

@挪威的森林：100亿美元砸下去 不知道追赶到哪里 但是肯定有一批人会发财。

@半导体社区是我家：学习借鉴、刻苦钻研、科学攻关！武汉中芯——长江存储，加油！初生牛犊已很不错了，给国家科技人点赞加油，追上世界前沿！

@​icfans：在三星宣布进一步加大投资扩产以后，他们或许想重演当初DRAM的“壮举”，长江存储面临的形势更加严峻。三星在自由竞争的市场打击竞争对手，本无可厚非，但对于正在襁褓中的长江存储来说，前路则是荆棘满途。

@上帝是只猪：虽然技术还比不上三星海力士或者镁光东芝，但是按照中国企业靠价格战来占领市场的一贯作风，我相信只要搞出来上市了，内存和储存一定会逼着别的厂家降价的，到时候市场上大容量的手机笔记本估计会便宜不少，期待啊……赶紧研发吧投产吧。

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