前言

三极管是一种电流信号放大器件。
三极管是有源器件，正常工作需要外加电源。
给三极管输入小电流，能够得到几十、几百倍的输出电流。
像是一个水龙头，我们轻轻转动阀门，就可以控制强大的水压、水流。

电路符号

如图，圆圈中的标志即是三极管的电路符号。它有三个引脚b-c-e，分别是基极base，集电极collector，发射极emiter。电流放大特点体现为：i_C=β·i_B，β是放大倍数。

三极管
9013是一种三极管器件型号。
常见的低频小功率三极管型号有9012,9013，8050，8550……

器件外形

图下的字符是器件封装标志，器件型号都印刷在器件上。

引脚识别参考下图，但还是请以具体器件的型号手册为准。
器件手册查询网站推荐：http://www.alldatasheetcn.com/

信号放大原理

先看三极管组成结构，以NPN型三极管为例：
NPN三极管由两片N型半导体夹着一片P型半导体组成，分别引出3个引脚：集电极Collector，基极Base，发射极Emitter（后文简称C、B、E）。由图可见，形成了两个方向相反的PN结。所以，在C-E两个引脚间无论加哪个方向的电压都不会导通。

三极管结构
当在B-E间加正偏电压后，BE间PN结（称为发射结）导通，内电场被削弱，部分发射区电子扩散到基区，在基极外电源的作用下形成基区电流i_B。基极和发射极形成一个电流回路，能够产生持续的电流。 发射结正偏

其实，因基区较薄，基区电子也会受到B-C集电结的内电场作用，漂移到集电区，但是集电极和发射极之间不存在导电回路，便不会产生持续的电流。此时，如果在C-E间也施加正向电压，那么集电结通过内电场收集的电子会通过Vce电压泵的作用流向E极，便产生了持续电流。

要注意的是，此时V_B≈0.7V,如果集电极电位Vc较小，比如小于0.7V，那么集电结正偏，内电场被削弱，集电极收集电子的能力也变弱，电流很小。当V_C>V_B时，集电结反偏，内电场被加强，收集电子能力增强，基区电子就会成功被吸入输出回路。

输入回路电流 输出环路电流
如果增加基极电流，那么扩散到基区的电子也会增加，集电极收集到的电子数量也成倍增加。
如果持续增加Vce，却并不会使输出回路电流明显增加。因为集电结反偏，收集电子能力大大增强，基区电子除了被基极B吸收进入输入回路（左红圈回路），其余几乎都被集电极“抢走”，即便Vce继续增加，单位时间内扩展到基区的电子数依然不变，电流i_C也就几乎不增加。输出回路的载流子环路中（右红圈回路），电子的流量，受到发射结在单位时间内扩散运动产生的自由电子数限制，而扩散运动的强度受基极电位V_BE影响。

传输特性

根据以上分析，便可以更加容易理解三极管的伏安特性曲线了，如下图：
横轴v_CE，纵轴i_C 。
图中有多条平行曲线，分别对应于输入i_B为100uA，80uA……0的情形。可以看到，随着i_B的等比例增加，输出i_C也是等比例增加的，放大倍数β=4mA/100uA=40倍

三极管伏安特性曲线
我们把这幅图分为3个区。
截止区：输入电流i_B为零，输出i_C也是零。
饱和区：由于v_CE太小，集电极收集电子数小于扩散电子数。
放大区：v_CE增加到1V附近时，集电结反偏收集电子能力增强，基区电子除了被基极B吸收，其余都被集电极“抢走”，即便Vce继续增加，电流i_C增加也不明显。

一般在信号放大电路中，我们使用三级管的放大区，利用i_C=β·i_B。
有时候使用三极管的截止区，将三极管当做开关使用。

补充

本文提到的三极管，叫做BJT，双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor）。有NPN和PNP两种，如果使其工作在放大区，都需要发射结正偏，集电结反偏。

三极管符号：NPN和PNP
画图方法：符号中的小箭头代表：发射结P→N的方向。所以，小箭头都是画在B-E引脚之间，小箭头方向代表P→N。B-C之间不画箭头。
图中红色箭头代表电流方向，不属于电路符号，是我特意标出来给大家看的，两种类型三极管的共同特点：
1、i_C=β·i_B，
2、i_E = i_B+i_C=(1+β)i_B≈i_C （因为 β>>1）
3、如果工作在放大区，都需要发射结正偏，集电结反偏