半导体禁带宽度

半导体禁带宽度

能带和禁带宽度的概念

对于包括半导体在内的晶体，其中的电子既不同于真空中的自由电子，也不同于孤立原子中的电子。真空中的自由电子具有连续的能量状态。晶体中的电子是处于所谓的能带状态，能带是由许多能级组成的，能带与能带之间隔离着禁带，电子就分步在能带中的能机上，禁带是不存在公有化运动状态的能量范围。半导体最高能量的、即最重要的能带就是价带(VBM)和导带(CBM)。CBM减去VBM就是禁带宽度(带隙，能隙)。

• 禁带中虽然不存在属于晶体所有的公有化电子的能级，但可以出现杂质、缺陷等非公有化能级——束缚能级。
  如：施主能级、受主能级、复合中心能级、陷阱中心能级、激子能级等。
  此外，这些束缚能级实际上也可以出现在导带和价带中(因为这些能级本来就不属于表征晶体公有化电子状态的能带之列)