2019-07-04

快速了解PBSS306NZ

1.1一般说明

采用SOT223（SC-73）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN低VcEsat小信号（BISS）晶体管突破.PNP补充：PBSS306NZ。

1.2特点

■低集电极 - 发射极饱和电压VCEsat

■高集电极电流能力lc和IcM

■高lc时的高集电极电流增益（hrE）

■由于产生的热量较少，效率高

■比传统晶体管更小的印刷电路板（PCB）面积

1.3Applications

■高压DC-DC转换

■高压MOSFET栅极驱动

■高压电机控制

■高压电源开关（例如电机，风扇）

■汽车应用

1.4规格参数

■不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：300mV @ 255mA，5.1A

■电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

■不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 2A，2V

■Power-Max：2W

■频率-跃迁：110MHz

■工作温度：150°C（TJ）

■安装类型：表面贴装

■封装/外壳：SOT-223

■封装形式Package：SC-73

■极性Polarity：NPN

■集电极最大允许电流Ic：5.1A

■集电极_发射极击穿电压VCEO：100V