PN8308H高性能3A同步整流芯片

随着DoE六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，骊微电子代理的PN8308H采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的，从而提高转换效率，可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压，降低电源本身发热。

PN8308H适用于输出电压9-15V的电源，内置80V智能功率MOSFET，具有如下特点：

易搭配原边主控芯片：ns级速度关断SR， 支持150kHz工作频率，支持CCM/DCM/QR工作模式；

EMC性能卓越：独特电流跟踪技术显著降低dV/dt，EMC特性优于肖特基；

可实现零外围工作：Low side架构，单边SW贴片封装，方便PCB Layout；

全面的智能保护功能：UVLO、防误开启、防误关断功能。

PN8308H同步整芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308H同步整芯片集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、最小导通时间等功能，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。

PN8308内置高开关速度智能MOSFET，进一步加快关断速度，集成了控制器及功率MOSFET，控制器实时跟踪功率MOSFET电流，实现50ns内快速关断，有效解决了CCM模式同步整流的技术的精确关断。

PN8308开关电源同步整流芯片SR提高功率密度，实现电源小型化，并降低系统成本。以12V3A电源为例，TO220肖特基+散热片（25mm*17mm）可被SOP8同步整流（10mm*10mm）取代，功率密度提高4倍以上，因PN8308外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片，被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。