晶圆制作工艺

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要想造个芯片，首先，你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry。
foundry是铸造厂的意思，是外包的晶圆制造公司。

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再放大

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cool！我们终于看到一个门电路啦。这是一个NAND Gate（与非门），大概是这样的。

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A,B是输入，Y是输出。

其中蓝色的是金属1层，绿色是金属2层，紫色是金属3层，粉色是金属4层...

那么晶体管呢？注意，说的是晶体管，但是199X年以后，主要是mosfet了，就是场效应管了。

仔细看图，看到里面那些白色的点么？那是衬底。

还有一些绿色的边框？那些是active layer（也就是掺杂层）

foundry是怎么做的呢？

大体上可以分为以下几步。

首先搞到一块圆圆的硅晶圆，就是一大块晶体硅，然后打磨得很光滑，一般是圆的。

1. 湿洗，就是用各种化学试剂，保持硅晶圆表面没有杂质。

2. 光刻

用紫外线，透过蒙版，照射硅晶圆，被照射到的地方，就会容易被洗掉，没有被照射到的地方，就保持原来的样子。

3. 离子注入

在硅晶圆，不同的位置，加入不同的杂质。

不同的杂质，根据浓度\位置的不同，就组成了场效应管。

4.1 蚀刻

干蚀刻：之前用光刻出来的形状，其实又很多不是我们需要的，而是为了离子注入而蚀刻的。

现在就要用【离子体】把他们清洗掉，或者是一些，在第一步光刻，先不需要刻出来的结构，这一步进行蚀刻。

湿蚀刻：进一步洗掉，但是用的是试剂，所以叫湿蚀刻。

上面的步骤做完之后，场效应管，就已经被做出来了。

但是以上步骤，一般都不止做一次，很可能需要反反复复地做，以达到要求。

5. 等离子冲洗，用较弱的等离子束，轰击整个芯片

6. 热处理，其中又分为

7. 快速热退火：就是瞬间把整个片子，通过大功率灯啥的，照到1200摄氏度以上，

然后慢慢冷却下来，为了让注入的离子，能更好地被启动、被热氧化。

2. 退火

3. 热氧化：制造二氧化硅，也就是场效应管的栅极（gate）

7 化学气相淀积（CVD）：进一步精细处理表面的各种物质

8 物理气相淀积（PVD）：类似，而且可以给敏感部件加coating

9 分子束外延（MBE）：如果需要长单晶的话，就需要这个

10 电镀处理

11 化学/机械表面处理，然后芯片就差不多了，

12 晶圆测试

13 晶圆打磨

就可以出厂封装了。