FDN8601介绍

FDN8601：

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：5nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10VVgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：210pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：50V功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：109 毫欧 @ 1.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装供应商器件

封装：SuperSOT-3

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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